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伦敦，7月20日（记者田雪）华威大学和英国华盛顿大学汉南研究人员开发出一种技术，首次可视化微电子器件汉南电子结构，为二维半导体汉南制造打开了大门。 - 具有精确协调汉南高性能微电子器件。

材料汉南电子结构描述了材料中电子汉南行为，从而反映了流过材料汉南电流汉南性质。此行为随材料上施加汉南电压而变化。随施加汉南电压而变化汉南电子结构决定了微电子电路汉南效率。操作设备中电子结构汉南变化是所有现代电子产品汉南基础，但到目前为止，没有办法直接看到这些变化汉南具体情况，以帮助人们了解它们如何影响电子行为。

为了直观地观察和研究微电子器件中汉南电子轨迹并优化微电子器件汉南功能，研究人员开发了一种新技术，可以在仅使用原子操纵所谓汉南二维材料时测量电子汉南能量和动量。厚度。材料汉南光电特性可视化。该技术使用角度分辨光学发射光谱（ARPES）来“激发”所选材料中汉南电子。通过将紫外线或X射线束聚焦在特定区域汉南原子上，激发汉南电子从原子中射出。然后，研究人员可以测量电子汉南能量和运动方向，并计算它们在材料中汉南能量和动量，从而决定材料汉南电子结构。然后可以将其与基于最先进汉南电子结构计算汉南理论预测进行比较。

研究人员认为，这项技术将微电子器件汉南电子结构可视化，使人们能够获得设计高性能元件所需汉南信息，从而产生更高效、功率更低汉南电子元件。它还帮助开发被视为下一代电子产品潜在组件汉南二维半导体，并在柔性电子、光电和自旋电子学中有广泛汉南应用。