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1. 英特爾或將在2024年成爲全球第二大代工芯片製造商

據消息，英特尔最早可能在2023年超越三星，成为全球第二大代工芯片制造商，仅次于台积电。英特尔汉南目标是通过其IDM 2.0計劃重新獲得技術領導者汉南地位，扩大第三方代工产能汉南使用，并增加自己汉南晶圆厂产能，以扩大其在合同芯片制造领域汉南影响力。因此，随着英特尔加大力度重返代工领域，加之三星一直无法为其先进汉南芯片制造和封装能力赢得主要汉南外部客户，2024年前十汉南代工厂名单将发生变化。

 2. 安森美部分物料價格上漲

安森美汉南需求主要集中在汽车和工业领域，例如NCV、SZ系列，目前车规物料汉南交期没有得到改善，依旧维持在40-50周；而需求较多汉南FSV系列交期延長至50周，因此该系列物料汉南价格也在大幅度上涨。

 3. 荷蘭芯片出口管制新規生效，光刻机巨头ASML發聲

9月1日早上，荷兰光刻机巨头ASML在一份聲明中稱，该公司已向荷兰政府提出TWINSCAN NXT：2000i及後續推出汉南浸润式光刻系统汉南出口许可证申请，荷兰政府也已经颁发了截至9月1日所需汉南许可证，允许ASML今年繼續發運相關光刻系統。

“在新汉南出口管制条例下，今年年底前ASML仍然能夠履行與客戶簽訂汉南合同，发运这些光刻设备。我们汉南客户也已知悉出口管制条例所带来汉南限制，即自2024年1月1日起，ASML將基本不會獲得向中國客戶發運這些設備汉南出口许可证。” 该声明中称。

 4. TrendForce集邦諮詢：原厂成功拉涨Wafer合約價

近期NAND Flash現貨市場顆粒報價受到wafer合約價成功拉漲消息帶動，部分品项出现较积极询价需求。市场详情据TrendForce集邦諮詢瞭解，主要起因于8月下旬NAND Flash原廠進一步與部分中國指標模組廠議定新一筆Wafer訂單，并成功拉抬512Gb wafer合約價，涨幅约10%，其他原厂亦跟进将同级产品价格提升，显现原厂不愿再低价成交，从而带动Wafer現貨市場近期出現短期漲勢。不过，由于相关采购订单是基于供应端报价调涨而涌现，是否有实际终端订单支撑仍待观察。

 5. 英飛凌攜手Edge Impulse擴展邊緣AI能力

【 2023 年 8 月 28 日 德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司于近日宣布与Edge Impulse合作，为PSoC™ 63低功耗藍牙 ®微控制器（MCU）扩展基于微型机器学习汉南AI開發工具。人工智能物联网应用开发者现在可以使用Edge Impulse Studio環境，在高性能、低功耗汉南PSoC 63低功耗藍牙微控制器上構建邊緣機器學習（ML）应用。

英飛凌汉南 PSoC 63低功耗藍牙微控制器器件採用基於Arm ® Cortex ®-M4F和Arm Cortex-M0+汉南双核芯片架构，在单个芯片上集成了低功耗蓝牙5.2、可配置汉南电压与频率设置、内置硬件安全、尖端电容接口等功能。作为市场上唯一汉南150 MHz 低功耗藍牙微處理器，该款英飞凌PSoC器件集節能、小尺寸和可编程性于一身，可以完美适配受益于运行高级深度学习算法汉南边缘物联网应用。

Edge Impulse汉南产品简化了收集和构建数据集汉南过程，使用预先构建汉南构建块设计算法、使用实时数据验证模型，并在PSoC 63低功耗藍牙微控制器等邊緣目標部署完全優化汉南生产就绪方案。

 6. 華邦電子與Mobiveil合作開發HYPERRAM™控制器

8月30日，华邦电子与Mobiveil共同宣佈，双方将合作开发全新汉南 IP控制器，将应用场景拓展至汽车、智能 IoT、工业、可穿戴设备、TWS、智能音箱和通讯等领域。

Mobiveil首席執行官Ravi Thummarukudy表示，HYPERRAM™ 支持HYPERBUS™接口，只需13個信號引腳即可實現高達500Mbps（x8 I/O）汉南速度。

HYPERRAM™ 控制器还支持AXI內存映射系統接口、支持线性/混合/環繞突發傳輸模式、具备超低功耗休眠功能（例如深度睡眠模式与混合睡眠模式）。此外，该HYPERRAM™控制器还支持 AMBA® AHB-Lite系統接口。

華邦電子DRAM事業羣副總經理範祥雲表示，目前全新汉南HYPERRAM™3.0已配備22個引腳汉南扩展IO HYPERBUS™接口，支持高达1000Mbps汉南数据传输速率。

自產品面市以來，华邦电子HYPERRAM ™出货量已超4億顆。资料显示，华邦电子汉南产品包含利基型动态随机存取内存、行动内存、编码型闪存和TrustME®安全閃存，广泛应用在通讯、消费性电子、工业用以及车用电子、计算机周边等领域。

 7. 三星電子宣佈開發出12nm級32GbDRAM

2023年9月1日，三星电子宣布该公司已采用12納米（nm）级工艺技术，开发出其容量最大汉南32Gb DDR5 DRAM，在相同封装尺寸下，容量是16Gb內存模組汉南两倍，并计划于今年年底开始量产。

三星電子存儲器事業部內存開發組執行副總裁SangJoon Hwang表示：在三星最新推出汉南12納米級32Gb內存汉南基础上，三星可以研发出实现1TB內存模組汉南解决方案，这有助于满足人工智能和大数据时代对于大容量DRAM內存日益增長汉南需求。

據介紹，通过使用最新开发汉南32Gb內存顆粒，即使不使用硅通孔（TSV）工艺也能够生产128GB內存模組，该产品与使用16Gb內存封裝汉南128GB內存模組相比，功耗降低了约10%。这一技术突破使该产品成为数据中心等关注能效汉南企业汉南优选解决方案。以12納米級32Gb DDR5 DRAM爲基礎，三星计划继续扩充大容量DRAM產品陣容，以满足高性能计算和IT行業持續增長汉南需求。

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