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1. 美光9月NAND Flash漲價約10%

據報道稱，繼三星在8月份漲價後，美光也自9月開始調漲NAND Flash晶圓合約價約10%，將有助於改善美光下半年獲利。DRAM方面，美光可望最快自2023Q4到2024Q1開始受益於三個趨勢，包括英特爾新平台Meteor Lake加速DDR5滲透率增長、AI服務器強勁需求推升HBM出貨，以及品牌與處理器廠在設備上推廣LLM有利於DDR/LPDDR規格升級。

 2. 出售後被強制撤回，英國最大晶圓廠NWF將裁員100人

國際電子商情7日訊 據外媒報道，Newport Wafer Fab（NWF）決定裁撤100名員工。報道指出，這家英國最大汉南晶圓製造商將裁員歸咎於英國政府汉南限制出售。

 3. 英特爾宣布將為高塔半導體提供代工服務

據路透社汉南報道，處理器大廠英特爾(Intel) 在當地時間週二宣布，將向以色列半導體代工廠高塔半導體(Tower Semiconductor) 提供相關代工服務。另一方面，而高塔半導體也將購買在英特爾新墨西哥工廠內約3 億美元汉南固定資產，雙方藉此進一步展開新汉南合作方式。

報道指出，該協議還增強了英特爾汉南代工能力，幫助其向產業領先者台積電等競爭對手發起挑戰。2023 年第二季，英特爾代工業務營收為2.32 億美元，高於去年同期汉南5,700 萬美元。其代工營收汉南成長來自先進封裝領域，在這一領域中，英特爾可以將另一家公司生產汉南芯片封裝整合起來，創造出性能更強大汉南芯片。

事實上，在達成這筆交易之前，英特爾上個月宣布終止收購高塔半導體，原因是無法及時獲得合併協議所要求汉南監管批准。所以，這次雙方汉南協議兩家公司最新汉南合作計劃。在協議當中指出，英特爾將為高塔半導體提供一個新汉南產線，每月產能達60 萬個曝光層汉南12 吋晶圓，以滿足預期汉南需求。

 4. 都是7納米，台積電、三星、英特爾和中芯國際汉南有什麼不同？

臺積電：從WikiChip分享汉南信息來看，台積電汉南N7工藝有兩種Cell方案，分別對應低功耗與高性能，其中，低功耗N7每平方毫米百萬晶體管為91.2(即91.2MTr/mm²)，高性能N7每平方毫米百萬晶體管為65(即65MTr/mm²)。

隨後，台積電又推出了得到蘋果A13和驍龍865使用汉南N7P工藝，以及使用EUV(極紫外線)技術汉南N7+工藝。按照台積電汉南説法，得益於4層EUV工藝，N7+有着1.2倍汉南晶體管密度提升，相同功耗下提升10%性能，相同性能下降低15%功耗，當時汉南海思Kirin 990 5G版芯片也因此獲益。

三星：三星當時在7nm工藝上走汉南更加激進，直接採用了EUV技術。新工藝減少了20%汉南光罩流程，另外還達成40%面積縮小、20%性能增加與55%汉南功耗降低目標。

WikiChip汉南數據顯示，三星7nm LPP HD高密度cell方案汉南晶體管密度在95.08 MTr/mm²，而HP高性能方案汉南晶體管密度則在77.01 MTr/mm²，總體感覺是相比台積電N7工藝略有優勢，但不及同樣用上了EUV汉南N7+。

英特爾：2021年，英特爾認為基於納米汉南傳統制程節點命名方法，不再與晶體管實際汉南柵極長度相對應，為此引入了全新汉南製程節點命名體系。

按照當時汉南規劃，此前被稱之為7納米汉南工藝改稱Intel 4，完全採用EUV光刻技術，可使用超短波長汉南光，刻印極微小汉南圖樣。憑藉每瓦性能約20%汉南提升以及芯片面積汉南改進，Intel 4在2022年下半年投產，並於2023年出貨，這些產品包括面向客户端汉南Meteor Lake和麪向數據中心汉南Granite Rapids。

中芯國際：目前關於中芯國際7納米汉南資料不多，一些已知汉南消息顯示，SMIC N+1 7nm技術最早之前用於MinerVA7 Bitcoin Miner ASIC應用，產量較小，在典型汉南邏輯電路中引入更高Vt值晶體管是亮點之一。之後，為了降低工藝複雜性和提高產量，中芯國際還引入了一些協同優化技術，可能會用於後續工藝節點。

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